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三星推出世界首款HBM2E内存 容量翻倍速度提升三分之一

  3月21日在英伟达的GTC 2019大会上,三星发布了新的Flashbolt高带宽内存(HBM),据称是业界首款符合HBM2E规范的内存产品。这也是继HBM2内存后,内存行业的又一次升级!

  

 

  新一代产品将每个针脚的带宽提高33%——从2.4Gbps提高到3.2Gbps;此外,每个芯片的容量也翻了一倍,达到16Gb。据此,1024位总线的Flashbolt封装,可以在8-Hi堆栈配置中提供高达410GB/s的带宽和16GB的容量。

  三星的目标是将这些产品用在下一代数据中心、AI/ML(人工智能/机器学习)和图形应用程序上。

  目前三星尚未宣布HBM2E产品量产计划,但是Flashbolt未来有望进入下一代7nm GPU。